Name: IRF7820TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7820TRPBFTR-ND
Price: 13.1164 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRF7820TRPBF
Numărul produsului DigiKey	IRF7820TRPBFTR-ND - Bandă și mosor (TR) IRF7820TRPBFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IRF7820TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IRF7820TRPBF
Descriere	MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Termen de livrare standard al producătorului	31 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 200 V 3,7A (Ta) 2,5W (Ta) Montare pe suprafață 8-SOIC
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IRF7820TRPBF Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 44 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie HEXFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1750 pF @ 100 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 2,5W (Ta)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 200 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 3,7A (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor 8-SOIC
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 78mOhm la 2,2A, 10V	Pachet/cutie 8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
Vgs(th) (Max) la Id 5V la 100µA	Număr produs de bază IRF7820

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 3.200

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®