Name: IRF7815TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7815TRPBFTR-ND
Price: 10.2245 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRF7815TRPBF
Numărul produsului DigiKey	IRF7815TRPBFTR-ND - Bandă și mosor (TR) IRF7815TRPBFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IRF7815TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IRF7815TRPBF
Descriere	MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Termen de livrare standard al producătorului	28 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 150 V 5,1A (Ta) 2,5W (Ta) Montare pe suprafață 8-SO
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IRF7815TRPBF Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 38 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie HEXFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1647 pF @ 75 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 2,5W (Ta)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 150 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 5,1A (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor 8-SO
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 43mOhm la 3,1A, 10V	Pachet/cutie 8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
Vgs(th) (Max) la Id 5V la 100µA	Număr produs de bază IRF7815