Name: IRF7341TRPBFXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND
Price: 8.3974 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRF7341TRPBFXTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IRF7341TRPBFXTMA1
Descriere	MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902
Termen de livrare standard al producătorului	25 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 55V 4,7A (Tc) 2W (Tc) Montare pe suprafață PG-DSO-8-902
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IRF7341TRPBFXTMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET	Rds pornit (Max) la Id, Vgs 50mOhm la 4,7A, 10V
Producător Infineon Technologies	Vgs(th) (Max) la Id 1V la 250µA
Serie HEXFET®	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 36nC la 10V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 740pF la 25V
Stare piesă Activ	Putere - Max 2W (Tc)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Configurație Canal 2 N (dublu)	Tip montare Montare pe suprafață
Caracteristică FET Poartă logică	Pachet/cutie 8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 55V	Pachet dispozitiv furnizor PG-DSO-8-902
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 4,7A (Tc)