IRF200S234 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar


Infineon Technologies
În stoc: 600
Preț unitar : 30,32000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 0
Preț unitar : 47,61000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 22.765
Preț unitar : 18,65000 lei
Fișă de date
Canal-N 200 V 90A (Tc) 417W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRF200S234

Numărul produsului DigiKey
IRF200S234TR-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător
Numărul produsului producătorului
IRF200S234
Descriere
MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 200 V 90A (Tc) 417W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IRF200S234 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
-
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
16,9mOhm la 51A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
162 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
6484 pF @ 50 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
417W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO263-3
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.