TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRF1310NSTRRPBF

Numărul produsului DigiKey
IRF1310NSTRRPBF-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător
Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului
IRF1310NSTRRPBF
Descriere
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 100 V 42A (Tc) 3,8W (Ta), 160W (Tc) Montare pe suprafață D2PAK
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Stare piesă
Digi-Key nu mai oferă acest produs
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
42A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
36mOhm la 22A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1900 pF @ 25 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
3,8W (Ta), 160W (Tc)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK
Pachet/cutie
TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

0 În stoc
Din cauza limitării temporare a aprovizionării, nu putem accepta comenzi în așteptare, iar termenul de livrare nu este disponibil în acest moment. Se Tipuri de pachete alternative.
Nu se poate anula/Nu se poate returna