IRF1010ZSTRLPBF Infineon Technologies | Produse cu semiconductori discreți

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IRF1010ZSTRLPBF
Numărul produsului DigiKey	IRF1010ZSTRLPBFTR-ND - Bandă și mosor (TR) IRF1010ZSTRLPBFCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IRF1010ZSTRLPBF
Descriere	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Montare pe suprafață D2PAK
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT)
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	55 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	75A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	7,5mOhm la 75A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	95 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2840 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	140W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	D2PAK
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IRF1010

Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 376

Verificați stoc primit suplimentar

Acest produs nu se mai fabrică, iar stocul acestuia nu va fi reaprovizionat după epuizarea stocului. Vizualizați Produse înlocuitoare sau Tipuri de pachete alternative.

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT)