Name: IQD009N06NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 36.9292 RON
Availability: OutOfStock

Canal-N 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montare pe suprafață PG-WHTFN-9-U02

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IQD009N06NM5CGSCATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IQD009N06NM5CGSCATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IQD009N06NM5CGSCATMA1
Descriere	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Termen de livrare standard al producătorului	61 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montare pe suprafață PG-WHTFN-9-U02
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IQD009N06NM5CGSCATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 150 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™ 5	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 12000 pF @ 30 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 3W (Ta), 333W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 60 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 42A (Ta), 445A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 6V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-WHTFN-9-U02
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 0,9mOhm la 50A, 10V	Pachet/cutie 9-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) la Id 3,3V la 163µA