IPW65R150CFDFKSA2 nu mai este pe stoc și poate fi inclus în comenzi în așteptare.
Produse înlocuitoare disponibile:

Echivalente parametric

IPW65R150CFDFKSA1
Infineon Technologies
În stoc: 0
Preț unitar : 14,07608 lei
Fișă de date

Similar

AOK27S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
În stoc: 0
Preț unitar : 0,00000 lei
Fișă de date

Similar

IXFH50N60P3
IXYS
În stoc: 564
Preț unitar : 50,01000 lei
Fișă de date

Similar

STW30N80K5
STMicroelectronics
În stoc: 570
Preț unitar : 39,98000 lei
Fișă de date
Vedeți și comparați toate produsele înlocuitoare
IPW65R099CFD7AXKSA1
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPW65R150CFDFKSA2

Numărul produsului DigiKey
448-IPW65R150CFDFKSA2-ND
Producător
Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului
IPW65R150CFDFKSA2
Descriere
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Termen de livrare standard al producătorului
15 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO247-3-41
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IPW65R150CFDFKSA2 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™ CFD2
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
22,4A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
150mOhm la 9,3A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4,5V la 900µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
2340 pF @ 100 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
195,3W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO247-3-41
Pachet/cutie
TO-247-3
Număr produs de bază
IPW65R150
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

0 În stoc
Verificați termenul de livrare
Solicitare de notificare privind stocul
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
120,01000 lei20,01 lei
3011,14267 lei334,28 lei
1209,18758 lei1.102,51 lei
5107,75320 lei3.954,13 lei
1.0207,41089 lei7.559,11 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:20,01000 lei
Preț unitar cu TVA:24,21210 lei
Produs asociatVizualizare toate
12 Articole
1EDN8511BXUSA1

1EDN8511BXUSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

2,57000 lei
2EDN7524FXTMA1

2EDN7524FXTMA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

3,49000 lei
IRS44273LTRPBF

IRS44273LTRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5

Infineon Technologies

2,92000 lei
2ED2184S06FXUMA1

2ED2184S06FXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

7,98000 lei
1EDI20N12AFXUMA1

1EDI20N12AFXUMA1

DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-51

Infineon Technologies

6,85000 lei
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

4,71000 lei
1ED3120MC12HXUMA1

1ED3120MC12HXUMA1

DGTL ISO 8KV 1CH GT DVR DSO8-66

Infineon Technologies

9,98000 lei
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

3,27000 lei
2EDL23N06PJXUMA1

2EDL23N06PJXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DSO

Infineon Technologies

9,24000 lei
1EDI20I12MFXUMA1

1EDI20I12MFXUMA1

DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-51

Infineon Technologies

6,85000 lei
6EDL04N06PTXUMA1

6EDL04N06PTXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28TSSOP

Infineon Technologies

14,34000 lei
2ED2110S06MXUMA1

2ED2110S06MXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC

Infineon Technologies

11,51000 lei
V-ar mai putea interesa și
1 Articole
IPW65R150CFDAFKSA1

IPW65R150CFDAFKSA1

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3

Infineon Technologies

22,19000 lei