IPW65R125C7XKSA1 Infineon Technologies | FET-uri, MOSFET-uri individuale

IPW65R125C7XKSA1 este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended

Infineon Technologies

În stoc: 198

Preț unitar : 6,11000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPW65R125C7XKSA1
Numărul produsului DigiKey	IPW65R125C7XKSA1-ND
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPW65R125C7XKSA1
Descriere	MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO247-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPW65R125C7XKSA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 35 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie CoolMOS™ C7	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1670 pF @ 400 V
Ambalaj Tub	Caracteristică FET –
Stare piesă Inactual	Disipare putere (Max) 101W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 18A (Tc)	Tip montare Orificiu străpuns
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO247-3
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 125mOhm la 8,9A, 10V	Pachet/cutie TO-247-3
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 440µA	Număr produs de bază IPW65R125