PG-TO251-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPU80R2K8CEBKMA1

Numărul produsului DigiKey
IPU80R2K8CEBKMA1-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IPU80R2K8CEBKMA1
Descriere
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 800 V 1,9A (Tc) 42W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO251-3
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Digi-Key nu mai oferă acest produs
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
2,8Ohm la 1,1A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
3,9V la 120µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
290 pF @ 100 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
42W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

0 În stoc
Din cauza limitării temporare a aprovizionării, nu putem accepta comenzi în așteptare, iar termenul de livrare nu este disponibil în acest moment.