Name: IPT65R025CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT65R025CM8XTMA1TR-ND
Price: 55.4422 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPT65R025CM8XTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPT65R025CM8XTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPT65R025CM8XTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPT65R025CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPT65R025CM8XTMA1
Descriere	IPT65R025CM8XTMA1
Termen de livrare standard al producătorului	30 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 101A (Tc) 543W (Tc) Montare pe suprafață PG-HSOF-8
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 124 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie CoolMOS™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 5910 pF @ 400 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 543W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 101A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-HSOF-8
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 25mOhm la 40A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) la Id 4,7V la 1,06mA