Name: IPT60R102G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R102G7XTMA1TR-ND
Price: 34.6181 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPT60R102G7XTMA1
Numărul produsului DigiKey	IPT60R102G7XTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPT60R102G7XTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPT60R102G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPT60R102G7XTMA1
Descriere	MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Termen de livrare standard al producătorului	36 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 23A (Tc) 141W (Tc) Montare pe suprafață PG-HSOF-8-2
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPT60R102G7XTMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 34 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie CoolMOS™ G7	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1320 pF @ 400 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 141W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 600 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 23A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-HSOF-8-2
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 102mOhm la 7,8A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 390µA	Număr produs de bază IPT60R102