Name: IPT60R028G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R028G7XTMA1TR-ND
Price: 74.173 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPT60R028G7XTMA1
Numărul produsului DigiKey	IPT60R028G7XTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPT60R028G7XTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPT60R028G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPT60R028G7XTMA1
Descriere	MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Termen de livrare standard al producătorului	17 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 75A (Tc) 391W (Tc) Montare pe suprafață PG-HSOF-8-2
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPT60R028G7XTMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ G7
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	75A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	28mOhm la 28,8A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 1,44mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	123 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	4820 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	391W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-HSOF-8-2
Pachet/cutie	8-PowerSFN
Număr produs de bază	IPT60R028