Canal-N 700 V 10,5A (Tc) 86W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO251-3-11
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPS70R600CEAKMA1

Numărul produsului DigiKey
IPS70R600CEAKMA1-ND
Producător
Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului
IPS70R600CEAKMA1
Descriere
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 700 V 10,5A (Tc) 86W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO251-3-11
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Ambalaj
Tub
Stare piesă
DigiKey nu mai oferă acest produs
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
700 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
10,5A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
600mOhm la 1A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
3,5V la 210µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
474 pF @ 100 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
86W (Tc)
Temperatură de funcționare
-40°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO251-3-11
Pachet/cutie
Conductoare scurte TO-251-3, IPAK
Număr produs de bază
IPS70R
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

0 În stoc
Din cauza limitării temporare a aprovizionării, nu putem accepta comenzi în așteptare, iar termenul de livrare nu este disponibil în acest moment.