IPP80N06S209AKSA1 nu mai este pe stoc, iar comenzile în așteptare nu sunt disponibile momentan.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 1.720
Preț unitar : 12,73000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 735
Preț unitar : 16,41000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 933
Preț unitar : 12,99000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 0
Preț unitar : 12,20000 lei
Fișă de date
Canal-N 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-3-1
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPP80N06S209AKSA1

Numărul produsului DigiKey
IPP80N06S209AKSA1-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IPP80N06S209AKSA1
Descriere
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-3-1
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
DigiKey nu mai oferă acest produs
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
9,1mOhm la 50A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 125µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
2360 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
190W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
Automobile
Calificare
AEC-Q101
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

0 În stoc
Din cauza limitării temporare a aprovizionării, nu putem accepta comenzi în așteptare, iar termenul de livrare nu este disponibil în acest moment. Se Produse înlocuitoare.