Name: IPP65R225C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP65R225C7XKSA1-ND
Price: 16.456 RON
Availability: OutOfStock

IPP65R225C7XKSA1
Numărul produsului DigiKey	IPP65R225C7XKSA1-ND
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPP65R225C7XKSA1
Descriere	MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Termen de livrare standard al producătorului	17 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPP65R225C7XKSA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ C7
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	11A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	225mOhm la 4,8A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 240µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	996 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	63W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO220-3
Pachet/cutie	TO-220-3
Număr produs de bază	IPP65R225

Preț unitar fără TVA:	13,60000 lei
Preț unitar cu TVA:	16,45600 lei

IPP65R225C7XKSA1