Name: IPP65R110CFDAAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP65R110CFDAAKSA1-ND
Price: 35.8886 RON
Availability: OutOfStock

IPP65R110CFDAAKSA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPP65R110CFDAAKSA1-ND
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPP65R110CFDAAKSA1
Descriere	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Termen de livrare standard al producătorului	25 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPP65R110CFDAAKSA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	31,2A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	110mOhm la 12,7A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4,5V la 1,3mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	118 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3240 pF @ 100 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	277,8W (Tc)
Temperatură de funcționare	-40°C – 150°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO220-3
Pachet/cutie	TO-220-3
Număr produs de bază	IPP65R110

Preț unitar fără TVA:	29,66000 lei
Preț unitar cu TVA:	35,88860 lei

IPP65R110CFDAAKSA1