Canal-N 650 V 6A (Tc) 30W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPP60R600P7XKSA1

Numărul produsului DigiKey
448-IPP60R600P7XKSA1-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IPP60R600P7XKSA1
Descriere
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 6A (Tc) 30W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-3
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IPP60R600P7XKSA1 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
600mOhm la 1,7A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 80µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
363 pF @ 400 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
30W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică.