IPP50R399CPHKSA1 nu mai este pe stoc, iar comenzile în așteptare nu sunt disponibile momentan.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
În stoc: 875
Preț unitar : 13,12000 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 807
Preț unitar : 20,84000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 0,00000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 1.729
Preț unitar : 12,73000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 735
Preț unitar : 16,41000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 219
Preț unitar : 27,95000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 0
Preț unitar : 0,00000 lei
Fișă de date

Similar


IXYS
În stoc: 0
Preț unitar : 11,13930 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 109
Preț unitar : 12,59000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 594
Preț unitar : 10,22000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 887
Preț unitar : 22,60000 lei
Fișă de date

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
În stoc: 0
Preț unitar : 20,01000 lei
Fișă de date
Canal-N 560 V 9A (Tc) 83W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-3-1
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPP50R399CPHKSA1

Numărul produsului DigiKey
IPP50R399CPHKSA1-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
IPP50R399CPHKSA1
Descriere
MOSFET N-CH 560V 9A TO220-3
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 560 V 9A (Tc) 83W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-3-1
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Tub
Stare piesă
DigiKey nu mai oferă acest produs
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
560 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
399mOhm la 4,9A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
3,5V la 330µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
890 pF @ 100 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
83W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3-1
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

0 În stoc
Din cauza limitării temporare a aprovizionării, nu putem accepta comenzi în așteptare, iar termenul de livrare nu este disponibil în acest moment. Se Produse înlocuitoare.