Canal-N 60 V 80A (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPP091N06N G

Numărul produsului DigiKey
IPP091N06NG-ND
Producător
Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului
IPP091N06N G
Descriere
MOSFET N-CHAN TO-220
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 60 V 80A (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-3
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Ambalaj
Tub
Stare piesă
DigiKey nu mai oferă acest produs
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
80A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
9,1mOhm la 80A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 130µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
81 nC @ 10 V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
2800 pF @ 30 V
Caracteristică FET
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO220-3
Pachet/cutie
TO-220-3
Număr produs de bază
IPP091N
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

0 În stoc
Din cauza limitării temporare a aprovizionării, nu putem accepta comenzi în așteptare, iar termenul de livrare nu este disponibil în acest moment.