Name: IPN80R600P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN80R600P7ATMA1TR-ND
Price: 11.8943 RON
Availability: InStock

IPN80R600P7ATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPN80R600P7ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPN80R600P7ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPN80R600P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPN80R600P7ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 800 V 8A (Tc) 7,4W (Tc) Montare pe suprafață PG-SOT223
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPN80R600P7ATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Nu pentru designuri noi
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	800 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	8A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	600mOhm la 3,4A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,5V la 170µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	570 pF @ 500 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	7,4W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-SOT223
Pachet/cutie	TO-261-4, TO-261AA
Număr produs de bază	IPN80R600

Cantitate	Preț unitar	Ext Price
3.000	2,40800 lei	7.224,00 lei
6.000	2,35537 lei	14.132,22 lei

Preț unitar fără TVA:	9,83000 lei
Preț unitar cu TVA:	11,89430 lei

IPN80R600P7ATMA1