Name: IPN80R1K2P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN80R1K2P7ATMA1TR-ND
Price: 8.2401 RON
Availability: OutOfStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPN80R1K2P7ATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPN80R1K2P7ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPN80R1K2P7ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPN80R1K2P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPN80R1K2P7ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 800 V 4,5A (Tc) 6,8W (Tc) Montare pe suprafață PG-SOT223
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPN80R1K2P7ATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 11 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie CoolMOS™ P7	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 300 pF @ 500 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Nu pentru designuri noi	Disipare putere (Max) 6,8W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 800 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 4,5A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-SOT223
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 1,2Ohm la 1,7A, 10V	Pachet/cutie TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) la Id 3,5V la 80µA	Număr produs de bază IPN80R1