Name: IPL65R099C7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND
Price: 32.3312 RON
Availability: InStock

IPL65R099C7AUMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPL65R099C7AUMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPL65R099C7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPL65R099C7AUMA1
Descriere	MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
Termen de livrare standard al producătorului	48 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 21A (Tc) 128W (Tc) Montare pe suprafață PG-VSON-4
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPL65R099C7AUMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ C7
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	21A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	99mOhm la 5,9A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 590µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2140 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	128W (Tc)
Temperatură de funcționare	-40°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-VSON-4
Pachet/cutie	4-PowerTSFN
Număr produs de bază	IPL65R099

Preț unitar fără TVA:	26,72000 lei
Preț unitar cu TVA:	32,33120 lei

IPL65R099C7AUMA1