IPI086N10N3GXKSA1 nu mai este pe stoc și poate fi inclus în comenzi în așteptare.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

IRFSL4410ZPBF
Infineon Technologies
În stoc: 0
Preț unitar : 5,21736 lei
Fișă de date

Similar

RBE067N10R1SZN6#HB0
Renesas Electronics Corporation
În stoc: 0
Preț unitar : 1,86343 lei
Vedeți și comparați toate produsele înlocuitoare
AUIRFSL6535 back
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
AUIRFSL6535 back
TO-262-3
AUIRFSL6535

IPI086N10N3GXKSA1

Numărul produsului DigiKey
IPI086N10N3GXKSA1-ND
Producător
Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului
IPI086N10N3GXKSA1
Descriere
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Termen de livrare standard al producătorului
16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO262-3
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IPI086N10N3GXKSA1 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
80A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
6V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
8,6mOhm la 73A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
3,5V la 75µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
3980 pF @ 50 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
125W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO262-3
Pachet/cutie
TO-262-3 conductoare lungi, I2PAK, TO-262AA
Număr produs de bază
IPI086
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

0 În stoc
Verificați termenul de livrare
Solicitare de notificare privind stocul
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
19,59000 lei9,59 lei
504,65640 lei232,82 lei
1004,17690 lei417,69 lei
5003,33574 lei1.667,87 lei
1.0003,06534 lei3.065,34 lei
2.0002,83793 lei5.675,86 lei
5.0002,71737 lei13.586,85 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:9,59000 lei
Preț unitar cu TVA:11,60390 lei
Produs asociatVizualizare toate
9 Articole
1EDN7512BXTSA1

1EDN7512BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5

Infineon Technologies

2,57000 lei
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

3,01000 lei
2ED2184S06FXUMA1

2ED2184S06FXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

7,98000 lei
IRS2011STRPBF

IRS2011STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

4,75000 lei
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

4,71000 lei
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

3,27000 lei
2EDL23N06PJXUMA1

2EDL23N06PJXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DSO

Infineon Technologies

9,24000 lei
2ED2110S06MXUMA1

2ED2110S06MXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC

Infineon Technologies

11,51000 lei
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

3,92000 lei
V-ar mai putea interesa și
1 Articole
IXTH52P10P

IXTH52P10P

MOSFET P-CH 100V 52A TO247

IXYS

40,98000 lei