Name: IPI086N10N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI086N10N3GXKSA1-ND
Price: 12.0516 RON
Availability: InStock

IPI086N10N3GXKSA1
Numărul produsului DigiKey	IPI086N10N3GXKSA1-ND
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPI086N10N3GXKSA1
Descriere	MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Termen de livrare standard al producătorului	17 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO262-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPI086N10N3GXKSA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	80A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	6V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	8,6mOhm la 73A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,5V la 75µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3980 pF @ 50 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	125W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO262-3
Pachet/cutie	TO-262-3 conductoare lungi, I2PAK, TO-262AA
Număr produs de bază	IPI086

Preț unitar fără TVA:	9,96000 lei
Preț unitar cu TVA:	12,05160 lei

IPI086N10N3GXKSA1