Name: IPG20N10S4L35ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L35ATMA1TR-ND
Price: 13.0075 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPG20N10S4L35ATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPG20N10S4L35ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPG20N10S4L35ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPG20N10S4L35ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPG20N10S4L35ATMA1
Descriere	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Termen de livrare standard al producătorului	35 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 100V 20A 43W Montare pe suprafață PG-TDSON-8-4
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPG20N10S4L35ATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET	Vgs(th) (Max) la Id 2,1V la 16µA
Producător Infineon Technologies	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 17,4nC la 10V
Serie OptiMOS™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1105pF la 25V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Putere - Max 43W
Stare piesă Activ	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Configurație Canal 2 N (dublu)	Calificare AEC-Q101
Caracteristică FET Poartă logică	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100V	Pachet/cutie 8-PowerVDFN
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 20A	Pachet dispozitiv furnizor PG-TDSON-8-4
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 35mOhm la 17A, 10V	Număr produs de bază IPG20N

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 5.860

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®