Name: IPG20N06S4L11ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N06S4L11ATMA1TR-ND
Price: 12.342 RON
Availability: OutOfStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPG20N06S4L11ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPG20N06S4L11ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPG20N06S4L11ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPG20N06S4L11ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPG20N06S4L11ATMA1
Descriere	MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Termen de livrare standard al producătorului	12 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 60V 20A 65W Montare pe suprafață PG-TDSON-8-4
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPG20N06S4L11ATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET
Producător	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Configurație	Canal 2 N (dublu)
Caracteristică FET	Poartă logică
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	20A
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	11,2mOhm la 17A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,2V la 28µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	53nC la 10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	4020pF la 25V
Putere - Max	65W
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet/cutie	8-PowerVDFN
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TDSON-8-4
Număr produs de bază	IPG20N