Name: IPG20N04S4L11ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N04S4L11ATMA1TR-ND
Price: 9.7042 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPG20N04S4L11ATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPG20N04S4L11ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPG20N04S4L11ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPG20N04S4L11ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPG20N04S4L11ATMA1
Descriere	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 40V 20A 41W Montare pe suprafață PG-TDSON-8-4
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPG20N04S4L11ATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET	Vgs(th) (Max) la Id 2,2V la 15µA
Producător Infineon Technologies	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 26nC la 10V
Serie OptiMOS™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1990pF la 25V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Putere - Max 41W
Stare piesă Nu pentru designuri noi	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Configurație Canal 2 N (dublu)	Calificare AEC-Q101
Caracteristică FET Poartă logică	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 40V	Pachet/cutie 8-PowerVDFN
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 20A	Pachet dispozitiv furnizor PG-TDSON-8-4
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 11,6mOhm la 17A, 10V	Număr produs de bază IPG20N