Name: IPDQ60R017S7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ60R017S7XTMA1TR-ND
Price: 72.1644 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPDQ60R017S7XTMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPDQ60R017S7XTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPDQ60R017S7XTMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPDQ60R017S7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPDQ60R017S7XTMA1
Descriere	MOSFET
Termen de livrare standard al producătorului	17 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 30A (Tc) 500W (Tc) Montare pe suprafață PG-HDSOP-22-1
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPDQ60R017S7XTMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ S7
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	30A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	12V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	17mOhm la 29A, 12V
Vgs(th) (Max) la Id	4,5V la 1,89mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	196 nC @ 12 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	7370 pF @ 300 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	500W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-HDSOP-22-1
Pachet/cutie	Modul 22-PowerBSOP
Număr produs de bază	IPDQ60R