Name: IPD90P03P4L04ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD90P03P4L04ATMA2TR-ND
Price: 13.9271 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPD90P03P4L04ATMA2
Numărul produsului DigiKey	448-IPD90P03P4L04ATMA2TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPD90P03P4L04ATMA2CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPD90P03P4L04ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPD90P03P4L04ATMA2
Descriere	MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
Termen de livrare standard al producătorului	9 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 30 V 90A (Tc) 137W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3-11
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPD90P03P4L04ATMA2 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ P2
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	90A (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	4,1mOhm la 90A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2V la 253µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+5V, -16V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	11300 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	137W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO252-3-11
Pachet/cutie	TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Număr produs de bază	IPD90