Name: IPD90N03S4L02ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD90N03S4L02ATMA1TR-ND
Price: 12.7655 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPD90N03S4L02ATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPD90N03S4L02ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPD90N03S4L02ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPD90N03S4L02ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPD90N03S4L02ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
Termen de livrare standard al producătorului	9 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 30 V 90A (Tc) 136W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3-11
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPD90N03S4L02ATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	30 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	90A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	2,2mOhm la 90A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,2V la 90µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±16V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	9750 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	136W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO252-3-11
Pachet/cutie	TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Număr produs de bază	IPD90