IPD80R2K8CEBTMA1 nu mai este pe stoc, iar comenzile în așteptare nu sunt disponibile momentan.
Produse înlocuitoare disponibile:

Direct


Infineon Technologies
În stoc: 285
Preț unitar : 7,15000 lei
Fișă de date

Similar


onsemi
În stoc: 2.446
Preț unitar : 11,23000 lei
Fișă de date
Canal-N 800 V 1,9A (Tc) 42W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3-11
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPD80R2K8CEBTMA1

Numărul produsului DigiKey
IPD80R2K8CEBTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător
Numărul produsului producătorului
IPD80R2K8CEBTMA1
Descriere
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 800 V 1,9A (Tc) 42W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3-11
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Stare piesă
DigiKey nu mai oferă acest produs
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
2,8Ohm la 1,1A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
3,9V la 120µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
290 pF @ 100 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
42W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3-11
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

0 În stoc
Din cauza limitării temporare a aprovizionării, nu putem accepta comenzi în așteptare, iar termenul de livrare nu este disponibil în acest moment. Se Produse înlocuitoare.