IPD80R1K0CEBTMA1 nu mai este pe stoc, iar comenzile în așteptare nu sunt disponibile momentan.
Produse înlocuitoare disponibile:

Direct


Infineon Technologies
În stoc: 4.234
Preț unitar : 9,74000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 11.307
Preț unitar : 11,58000 lei
Fișă de date
Canal-N 800 V 5,7A (Tc) 83W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3-11
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPD80R1K0CEBTMA1

Numărul produsului DigiKey
IPD80R1K0CEBTMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător
Numărul produsului producătorului
IPD80R1K0CEBTMA1
Descriere
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 800 V 5,7A (Tc) 83W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3-11
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Stare piesă
DigiKey nu mai oferă acest produs
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
950mOhm la 3,6A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
3,9V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
785 pF @ 100 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
83W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3-11
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

0 În stoc
Din cauza limitării temporare a aprovizionării, nu putem accepta comenzi în așteptare, iar termenul de livrare nu este disponibil în acest moment. Se Produse înlocuitoare.