IPD65R950CFDATMA1 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Echivalente parametric


Infineon Technologies
În stoc: 2.094
Preț unitar : 7,59000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 0
Preț unitar : 9,06000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 68
Preț unitar : 9,19000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 1.339
Preț unitar : 20,98000 lei
Fișă de date
Canal-N 650 V 3,9A (Tc) 36,7W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Canal-N 650 V 3,9A (Tc) 36,7W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD65R950CFDATMA1

Numărul produsului DigiKey
IPD65R950CFDATMA1-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător
Numărul produsului producătorului
IPD65R950CFDATMA1
Descriere
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 3,9A (Tc) 36,7W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
950mOhm la 1,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4,5V la 200µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
14.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
380 pF @ 100 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
36,7W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.