Name: IPD65R190C7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD65R190C7ATMA1TR-ND
Price: 19.118 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPD65R190C7ATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPD65R190C7ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPD65R190C7ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPD65R190C7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPD65R190C7ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Termen de livrare standard al producătorului	27 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPD65R190C7ATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ C7
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	13A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	190mOhm la 5,7A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 290µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1150 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	72W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO252-3
Pachet/cutie	TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Număr produs de bază	IPD65R