Name: IPD650P06NMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD650P06NMATMA1TR-ND
Price: 13.6367 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPD650P06NMATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPD650P06NMATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPD650P06NMATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPD650P06NMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPD650P06NMATMA1
Descriere	MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 60 V 22A (Tc) 83W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3-313
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPD650P06NMATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 39 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1600 pF @ 30 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 83W (Tc)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 60 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 22A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO252-3-313
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 65mOhm la 22A, 10V	Pachet/cutie TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 1,04mA	Număr produs de bază IPD650