Name: IPD60R950C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R950C6ATMA1TR-ND
Price: 8.4942 RON
Availability: InStock

IPD60R950C6ATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPD60R950C6ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPD60R950C6ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPD60R950C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPD60R950C6ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 600 V 4,4A (Tc) 37W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPD60R950C6ATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ C6
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Nu pentru designuri noi
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	4,4A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	950mOhm la 1,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,5V la 130µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	280 pF @ 100 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	37W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO252-3
Pachet/cutie	TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Număr produs de bază	IPD60R

Preț unitar fără TVA:	7,02000 lei
Preț unitar cu TVA:	8,49420 lei

IPD60R950C6ATMA1