Canal-N 600 V 2,3A (Tc) 38W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.
Canal-N 600 V 2,3A (Tc) 38W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD60R2K1CEAUMA1

Numărul produsului DigiKey
IPD60R2K1CEAUMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR)
IPD60R2K1CEAUMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
IPD60R2K1CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător
Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului
IPD60R2K1CEAUMA1
Descriere
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 600 V 2,3A (Tc) 38W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
IPD60R2K1CEAUMA1 Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™ CE
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Stare piesă
Nu pentru designuri noi
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
2,3A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
2,1Ohm la 760mA, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
3,5V la 60µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
140 pF @ 100 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
38W (Tc)
Temperatură de funcționare
-40°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO252-3
Pachet/cutie
TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Număr produs de bază
IPD60R
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 8.931
Verificați stoc primit suplimentar
Nerecomandat pentru modele noi, se pot aplica minime. Se Produse înlocuitoare.
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®
Cantitate Preț unitar Ext Price
13,64000 lei3,64 lei
102,25100 lei22,51 lei
1001,45560 lei145,56 lei
5001,11312 lei556,56 lei
1.0001,00270 lei1.002,70 lei
* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.
Bandă și mosor (TR)
Cantitate Preț unitar Ext Price
2.5000,88303 lei2.207,57 lei
5.0000,80902 lei4.045,10 lei
7.5000,77130 lei5.784,75 lei
12.5000,72893 lei9.111,62 lei
17.5000,70383 lei12.317,02 lei
25.0000,67944 lei16.986,00 lei
Pachet standard de la producător
Preț unitar fără TVA:3,64000 lei
Preț unitar cu TVA:4,40440 lei
Produs asociatVizualizare toate
9 Articole
1EDN8511BXUSA1

1EDN8511BXUSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

2,59000 lei
2EDN7524FXTMA1

2EDN7524FXTMA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

3,51000 lei
IRS44273LTRPBF

IRS44273LTRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5

Infineon Technologies

2,94000 lei
1EDI20N12AFXUMA1

1EDI20N12AFXUMA1

DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-51

Infineon Technologies

8,43000 lei
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

4,74000 lei
2EDL05N06PFXUMA1

2EDL05N06PFXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DSO

Infineon Technologies

5,22000 lei
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

2,33000 lei
2ED2106S06FXUMA1

2ED2106S06FXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

5,22000 lei
2ED2101S06FXUMA1

2ED2101S06FXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

5,22000 lei
V-ar mai putea interesa și
1 Articole
IPD60R3K4CEAUMA1

IPD60R3K4CEAUMA1

MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3

Infineon Technologies

3,20000 lei