IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies | FET-uri, MOSFET-uri individuale

IPD50R1K4CEAUMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPD50R1K4CEAUMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPD50R1K4CEAUMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT)
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPD50R1K4CEAUMA1
Descriere	MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 500 V 3,1A (Tc) 42W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPD50R1K4CEAUMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CE
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT)
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	500 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	3,1A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	13V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	1,4Ohm la 900mA, 13V
Vgs(th) (Max) la Id	3,5V la 70µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	8.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	178 pF @ 100 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	42W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO252-3
Pachet/cutie	TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Număr produs de bază	IPD50R1

Preț unitar fără TVA:	3,64000 lei
Preț unitar cu TVA:	4,40440 lei

IPD50R1K4CEAUMA1