Name: IPD50N10S3L16ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD50N10S3L16ATMA2TR-ND
Price: 15.6332 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPD50N10S3L16ATMA2
Numărul produsului DigiKey	448-IPD50N10S3L16ATMA2TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPD50N10S3L16ATMA2CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPD50N10S3L16ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPD50N10S3L16ATMA2
Descriere	MOSFET_(75V 120V(
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3-11
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPD50N10S3L16ATMA2 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 64 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 4180 pF @ 25 V
Stare piesă Activ	Caracteristică FET –
Tip FET Canal-N	Disipare putere (Max) 100W (Tc)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Grad Automobile
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 50A (Tc)	Calificare AEC-Q101
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Tip montare Montare pe suprafață
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 15mOhm la 50A, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) la Id 2,4V la 60µA	Pachet/cutie TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63