Name: IPD068P03L3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD068P03L3GATMA1TR-ND
Price: 10.0672 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPD068P03L3GATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPD068P03L3GATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPD068P03L3GATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPD068P03L3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPD068P03L3GATMA1
Descriere	MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Termen de livrare standard al producătorului	26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 30 V 70A (Tc) 100W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPD068P03L3GATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 91 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 7720 pF @ 15 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 100W (Tc)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 30 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 70A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 4,5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO252-3
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 6,8mOhm la 70A, 10V	Pachet/cutie TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Vgs(th) (Max) la Id 2V la 150µA	Număr produs de bază IPD068