Name: IPD046N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD046N08N5ATMA1TR-ND
Price: 18.3557 RON
Availability: InStock

IPD046N08N5ATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPD046N08N5ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPD046N08N5ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPD046N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPD046N08N5ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Termen de livrare standard al producătorului	23 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 80 V 90A (Tc) 125W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO252-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPD046N08N5ATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	80 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	90A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	6V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	4,6mOhm la 45A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,8V la 65µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3800 pF @ 40 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	125W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO252-3
Pachet/cutie	TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Număr produs de bază	IPD046

Cantitate	Preț unitar	Ext Price
2.500	4,70556 lei	11.763,90 lei
5.000	4,46505 lei	22.325,25 lei

Preț unitar fără TVA:	15,17000 lei
Preț unitar cu TVA:	18,35570 lei

IPD046N08N5ATMA1