Name: IPC50N04S55R8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND
Price: 6.6429 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPC50N04S55R8ATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPC50N04S55R8ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPC50N04S55R8ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPC50N04S55R8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPC50N04S55R8ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Termen de livrare standard al producătorului	26 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 40 V 50A (Tc) 42W (Tc) Montare pe suprafață PG-TDSON-8-33
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPC50N04S55R8ATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	40 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	50A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	7V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	5,8mOhm la 25A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,4V la 13µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1090 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	42W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TDSON-8-33
Pachet/cutie	8-PowerTDFN
Număr produs de bază	IPC50N