Name: IPC100N04S51R9ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC100N04S51R9ATMA1TR-ND
Price: 9.8615 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPC100N04S51R9ATMA1
Numărul produsului DigiKey	IPC100N04S51R9ATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPC100N04S51R9ATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPC100N04S51R9ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPC100N04S51R9ATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 40 V 100A (Tc) 100W (Tc) Montare pe suprafață PG-TDSON-8-34
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPC100N04S51R9ATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Nu pentru designuri noi
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	40 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	100A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	7V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	1,9mOhm la 50A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,4V la 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	3770 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	100W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TDSON-8-34
Pachet/cutie	8-PowerTDFN
Număr produs de bază	IPC100