Name: IPBE65R230CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPBE65R230CFD7AATMA1TR-ND
Price: 25.4342 RON
Availability: InStock

Canal-N 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-7-3-10

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPBE65R230CFD7AATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPBE65R230CFD7AATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPBE65R230CFD7AATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPBE65R230CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPBE65R230CFD7AATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 650V 11A TO263-7
Termen de livrare standard al producătorului	29 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-7-3-10
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPBE65R230CFD7AATMA1 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 23 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie CoolMOS™ CFD7A	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 1044 pF @ 400 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 63W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -40°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 650 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 11A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO263-7-3-10
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 230mOhm la 5,2A, Ieșire 10V	Pachet/cutie TO-263-7, D2PAK (6 conductoare + lamelă), TO-263CB
Vgs(th) (Max) la Id 4,5V la 260µA	Număr produs de bază IPBE65