Name: IPBE65R099CFD7AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR-ND
Price: 31.2785 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPBE65R099CFD7AATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-IPBE65R099CFD7AATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPBE65R099CFD7AATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPBE65R099CFD7AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPBE65R099CFD7AATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
Termen de livrare standard al producătorului	17 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 650 V 24A (Tc) 127W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-7-3-10
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPBE65R099CFD7AATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ CFD7A
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	24A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	99mOhm la 12,5A, Ieșire 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4,5V la 630µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2513 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	127W (Tc)
Temperatură de funcționare	-40°C – 150°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-7-3-10
Pachet/cutie	TO-263-7, D2PAK (6 conductoare + lamelă), TO-263CB
Număr produs de bază	IPBE65