IPB90N06S404ATMA2 Infineon Technologies | Produse cu semiconductori discreți

IPB90N06S404ATMA2 este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

onsemi

În stoc: 16.133

Preț unitar : 4,05938 lei

Similar

onsemi

În stoc: 162

Preț unitar : 3,25000 lei

Similar

Nexperia USA Inc.

În stoc: 3.814

Preț unitar : 4,55000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPB90N06S404ATMA2
Numărul produsului DigiKey	448-IPB90N06S404ATMA2TR-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB90N06S404ATMA2
Descriere	MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 90A (Tc) 150W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB90N06S404ATMA2 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR)
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	90A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	4mOhm la 90A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 90µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	128 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	10400 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	150W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-3
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IPB90N06