Name: IPB80R290C3AATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB80R290C3AATMA2TR-ND
Price: 34.727 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPB80R290C3AATMA2
Numărul produsului DigiKey	448-IPB80R290C3AATMA2TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPB80R290C3AATMA2CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPB80R290C3AATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB80R290C3AATMA2
Descriere	MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Termen de livrare standard al producătorului	17 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 800 V 17A (Tc) 227W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3-2
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 117 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie CoolMOS™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2300 pF @ 100 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 227W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -40°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 800 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 17A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO263-3-2
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 290mOhm la 11A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 3,9V la 1mA	Număr produs de bază IPB80R