Name: IPB80N06S407ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB80N06S407ATMA2TR-ND
Price: 12.2936 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPB80N06S407ATMA2
Numărul produsului DigiKey	448-IPB80N06S407ATMA2TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-IPB80N06S407ATMA2CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-IPB80N06S407ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB80N06S407ATMA2
Descriere	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Termen de livrare standard al producătorului	9 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3-2
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB80N06S407ATMA2 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	80A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 40µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	4500 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	79W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-3-2
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IPB80N