Name: IPB80N06S2H5ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND
Price: 23.9701 RON
Availability: InStock

IPB80N06S2H5ATMA2 nu mai este pe stoc și poate fi inclus în comenzi în așteptare.

Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

STMicroelectronics

În stoc: 842

Preț unitar : 25,92000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPB80N06S2H5ATMA2
Numărul produsului DigiKey	IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPB80N06S2H5ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB80N06S2H5ATMA2
Descriere	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Termen de livrare standard al producătorului	18 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3-2
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB80N06S2H5ATMA2 Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 155 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (Max) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 4400 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 300W (Tc)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 55 V	Calificare AEC-Q101
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 80A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PG-TO263-3-2
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 5,2mOhm la 80A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 230µA	Număr produs de bază IPB80N