Name: IPB80N06S209ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S209ATMA2TR-ND
Price: 16.9884 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPB80N06S209ATMA2
Numărul produsului DigiKey	IPB80N06S209ATMA2TR-ND - Bandă și mosor (TR) IPB80N06S209ATMA2CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) IPB80N06S209ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPB80N06S209ATMA2
Descriere	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Termen de livrare standard al producătorului	9 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Montare pe suprafață PG-TO263-3-2
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	IPB80N06S209ATMA2 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	55 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	80A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	8,8mOhm la 50A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 125µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2360 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	190W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO263-3-2
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Număr produs de bază	IPB80N